BSO612CV
| 工場モデル | BSO612CV |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC |
| パッケージ | PG-DSO-8 |
| 株式 | 3850 pcs |
| データシート | BSO612CVPart Number GuideMultiple Devices 22/Feb/2008 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 20µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-DSO-8 |
| シリーズ | SIPMOS® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 120mOhm @ 3A, 10V |
| 電力 - 最大 | 2W |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 340pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15.5nC @ 10V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A, 2A |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel |
| 基本製品番号 | BSO612 |
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