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BSO615N

工場モデル BSO615N
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
パッケージ PG-DSO-8
株式 5837 pcs
データシート BSO615NPart Number GuideMultiple Devices 22/Feb/2008
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5837のInfineon Technologies BSO615Nの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 20µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-DSO-8
シリーズ SIPMOS®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
電力 - 最大 2W
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 380pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 20nC @ 10V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2.6A
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Dual)
基本製品番号 BSO615

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データシート

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