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Infineon Technologies

BSC883N03MSGATMA1

工場モデル BSC883N03MSGATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 34V 19A/98A TDSON
パッケージ PG-TDSON-8-1
株式 5028 pcs
データシート BSC883N03MS GPart Number GuideMultiple Devices 28/Feb/2014
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5028のInfineon Technologies BSC883N03MSGATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8-1
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3.8mOhm @ 30A, 10V
電力消費（最大） 2.5W (Ta), 57W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3200 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 41 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 34 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 19A (Ta), 98A (Tc)

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