Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > BSC670N25NSFDATMA1
Infineon Technologies

BSC670N25NSFDATMA1

工場モデル BSC670N25NSFDATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
パッケージ PG-TDSON-8-1
株式 50598 pcs
データシート Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000
$1.407 $1.262 $1.034 $0.88 $0.743 $0.705
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。50598のInfineon Technologies BSC670N25NSFDATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 90µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8-1
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 67mOhm @ 24A, 10V
電力消費(最大) 150W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2410 pF @ 125 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 30 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 250 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 24A (Tc)
基本製品番号 BSC670

おすすめ商品

BSC670N25NSFDATMA1 データテーブルPDF

データシート