BSC750N10NDGATMA1
工場モデル | BSC750N10NDGATMA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON |
パッケージ | PG-TDSON-8-4 |
株式 | 5104 pcs |
データシート | BSC750N10ND GPart Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Devices EOL 08/May/2019 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 12µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-4 |
シリーズ | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 75mOhm @ 13A, 10V |
電力 - 最大 | 26W |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 720pF @ 50V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 11nC @ 10V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.2A |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | BSC750N10 |
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