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Comchip Technology

CDBJSC5650-G

工場モデル CDBJSC5650-G
メーカー Comchip Technology
詳細な説明 DIODE SIL CARBIDE 650V 5A TO220F
パッケージ TO-220F
株式 92884 pcs
データシート CDBJSC5650-GComchip Technology RoHS CertCDBx 23-May-2022Mult Dev Material Chgs 24/Oct/2022
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.02 $0.917 $0.751 $0.64 $0.539 $0.512 $0.493
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのComchip Technologyシリーズの電子コンポーネントを専門としています。92884のComchip Technology CDBJSC5650-Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.7 V @ 5 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 650 V
技術 SiC (Silicon Carbide) Schottky
サプライヤデバイスパッケージ TO-220F
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 0 ns
パッケージ/ケース TO-220-2 Full Pack
製品属性 属性値
パッケージ Tube
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 175°C
装着タイプ Through Hole
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 100 µA @ 650 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 5A
Vrと、F @キャパシタンス 430pF @ 0V, 1MHz
基本製品番号 CDBJSC5650

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