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Comchip Technology

CDBJFSC8650-G

工場モデル CDBJFSC8650-G
メーカー Comchip Technology
詳細な説明 DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F
パッケージ TO-220F
株式 43428 pcs
データシート CDBJFSC8650-GComchip Technology RoHS CertCDBx 23-May-2022
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000
$1.734 $1.557 $1.276 $1.086 $0.916 $0.87
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのComchip Technologyシリーズの電子コンポーネントを専門としています。43428のComchip Technology CDBJFSC8650-Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 1.7 V @ 8 A
電圧 - 逆(VR)(最大) 650 V
技術 SiC (Silicon Carbide) Schottky
サプライヤデバイスパッケージ TO-220F
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間(trrの) 0 ns
パッケージ/ケース TO-220-2 Full Pack
製品属性 属性値
パッケージ Tube
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 175°C
装着タイプ Through Hole
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 100 µA @ 650 V
電流 - 平均整流(イオ​​) 8A
Vrと、F @キャパシタンス 560pF @ 0V, 1MHz
基本製品番号 CDBJFSC8650

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データシート