CDBJFSC101200-G
| 工場モデル | CDBJFSC101200-G |
|---|---|
| メーカー | Comchip Technology |
| 詳細な説明 | DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220F |
| パッケージ | TO-220F |
| 株式 | 14750 pcs |
| データシート | CDBJFSC101200-GComchip Technology RoHS CertMult Dev Material Chgs 24/Oct/2022CDBJFSC101200-G Marking 25/May/2020 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $5.081 | $4.67 | $3.944 | $3.508 | $3.218 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.7 V @ 10 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1200 V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns |
| パッケージ/ケース | TO-220-2 Full Pack |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Tube |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 100 µA @ 1200 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 10A |
| Vrと、F @キャパシタンス | 780pF @ 0V, 1MHz |
| 基本製品番号 | CDBJFSC101200 |
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