Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > NVMFWS016N10MCLT1G
onsemi

NVMFWS016N10MCLT1G

工場モデル NVMFWS016N10MCLT1G
メーカー onsemi
詳細な説明 PTNG 100V LL SO8FL
パッケージ 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
株式 137627 pcs
データシート NVMFS016N10MCL
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500
$0.487 $0.435 $0.339 $0.28
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。137627のonsemi NVMFWS016N10MCLT1Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 3V @ 64µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
シリーズ Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 14mOhm @ 11A, 10V
電力消費(最大) 3.6W (Ta), 64W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN, 5 Leads
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount, Wettable Flank
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1250 pF @ 50 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 19 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 10.9A (Ta), 46A (Tc)

おすすめ商品

NVMFWS016N10MCLT1G データテーブルPDF

データシート