NVMFWS9D6P04M8LT1G
工場モデル | NVMFWS9D6P04M8LT1G |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MV8 P-CH 40V SO-8FL PORTFOLIO EX |
パッケージ | 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) |
株式 | 175649 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1500 | 3000 | 7500 | 10500 |
---|---|---|---|
$0.217 | $0.206 | $0.198 | $0.192 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。175649のonsemi NVMFWS9D6P04M8LT1Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.4V @ 580µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9.5mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 3.7W (Ta), 75W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount, Wettable Flank |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2002 pF @ 20 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 14.47 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 17.1A (Ta), 77A (Tc) |
基本製品番号 | NVMFWS9 |
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