NVMFS6H858NWFT1G
工場モデル | NVMFS6H858NWFT1G |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 80V 8.4A/29A 5DFN |
パッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
株式 | 87169 pcs |
データシート | onsemi REACHonsemi RoHSMult Dev DryPack/Assembly Chgs 25/Feb/2021NVMFS6H858N |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$0.882 | $0.791 | $0.636 | $0.522 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 30µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 20.7mOhm @ 5A, 10V |
電力消費(最大) | 3.5W (Ta), 42W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 510 pF @ 40 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 8.9 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8.4A (Ta), 29A (Tc) |
基本製品番号 | NVMFS6 |
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