Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > NVMFS6H848NLWFT1G
onsemi

NVMFS6H848NLWFT1G

工場モデル NVMFS6H848NLWFT1G
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
パッケージ 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
株式 121757 pcs
データシート onsemi REACHonsemi RoHSMult Changes 09/Jul/2021NVMFS6H848NL
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500
$0.472 $0.421 $0.328 $0.271
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。121757のonsemi NVMFS6H848NLWFT1Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 70µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
シリーズ Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 8.8mOhm @ 10A, 10V
電力消費（最大） 3.7W (Ta), 73W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN, 5 Leads
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount, Wettable Flank
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1420 pF @ 40 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 25 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 80 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 13A (Ta), 59A (Tc)
基本製品番号 NVMFS6

おすすめ商品

NVMFS6H848NLWFT1G データテーブルPDF

データシート

NVMFS6H848NLWFT1Gに関連した語彙

NVMFS6H848NLWFT1G関連コンポーネント