NVJS4151PT1G
工場モデル | NVJS4151PT1G |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88 |
パッケージ | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
株式 | 371304 pcs |
データシート | onsemi REACHonsemi RoHSNVJS4151P |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.228 | $0.195 | $0.145 | $0.114 | $0.088 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.2V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 67mOhm @ 2.9A, 4.5V |
電力消費(最大) | 1.2W (Ta) |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 850 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.2A (Ta) |
基本製品番号 | NVJS4151 |
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