NVJD4152PT1G
| 工場モデル | NVJD4152PT1G |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | NVJD4152 - Dual P-Channel Trench |
| パッケージ | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 株式 | 528418 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1776 |
|---|
| $0.066 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。528418のonsemi NVJD4152PT1Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 260mOhm @ 880mA, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 272mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 155pF @ 20V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.2nC @ 4.5V |
| FET特長 | Standard |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 880mA (Ta) |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel |
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