NVJS3151PT1G
| 工場モデル | NVJS3151PT1G |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88 |
| パッケージ | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 株式 | 5650 pcs |
| データシート | Mult Dev EOL 16/Jul/2019onsemi REACHonsemi RoHSNTJS3151P, NVJS3151P |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 100µA |
| Vgs（最大） | ±12V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 60mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 625mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 850 pF @ 12 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.6 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.7A (Ta) |
| 基本製品番号 | NVJS31 |
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