FQB7N60TM
工場モデル | FQB7N60TM |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK |
パッケージ | D²PAK (TO-263) |
株式 | 5298 pcs |
データシート | Description Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021Mult Dev EOL 23/Dec/2021onsemi RoHSMult Dev Assembly Chgs 21/Dec/2020FQB7N60, FQI7N60 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) |
シリーズ | QFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1Ohm @ 3.7A, 10V |
電力消費(最大) | 3.13W (Ta), 142W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1430 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 38 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 7.4A (Tc) |
基本製品番号 | FQB7N60 |
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