FQB6N80TM
| 工場モデル | FQB6N80TM |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK |
| パッケージ | D²PAK (TO-263) |
| 株式 | 4805 pcs |
| データシート | Description Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021Mult Dev EOL 23/Dec/2021onsemi RoHSFQB6N80Mult Dev Assem/Test Add 25/Jul/2019 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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RFQメール：info@Components-House.net
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) |
| シリーズ | QFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.95Ohm @ 2.9A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.13W (Ta), 158W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1500 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.8A (Tc) |
| 基本製品番号 | FQB6N80 |
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