FQB8N90CTM
| 工場モデル | FQB8N90CTM |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK |
| パッケージ | D²PAK (TO-263) |
| 株式 | 36701 pcs |
| データシート | Description Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021onsemi RoHSMult Dev Assem/Test Add 25/Jul/2019FQB8N90C |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 |
|---|
| $0.886 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) |
| シリーズ | QFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.9Ohm @ 3.15A, 10V |
| 電力消費（最大） | 171W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2080 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 900 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.3A (Tc) |
| 基本製品番号 | FQB8N90 |
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