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onsemi

FDT86113LZ

工場モデル FDT86113LZ
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
パッケージ SOT-223-4
株式 248193 pcs
データシート Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHSMult Dev Assembly Chg 21/May/2020Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022Marking Lay-out Implementation 15/Nov/2021FDT86113LZ
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000
$0.388 $0.345 $0.269 $0.222 $0.175 $0.164
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。248193のonsemi FDT86113LZの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-223-4
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 100mOhm @ 3.3A, 10V
電力消費（最大） 2.2W (Ta)
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 315 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 6.8 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 3.3A (Tc)
基本製品番号 FDT86113

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データシート

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