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FDT55AN06LA0

工場モデル FDT55AN06LA0
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
パッケージ SOT-223-4
株式 4381 pcs
データシート FDT55AN06LA0onsemi RoHS
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4381のonsemi FDT55AN06LA0の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-223-4
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 46mOhm @ 11A, 10V
電力消費（最大） 8.9W (Tc)
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1130 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 10 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 12.1A (Tc)
基本製品番号 FDT55

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