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FDT4N50NZU Image
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製品の詳細仕様を参照してください。

FDT4N50NZU

工場モデル FDT4N50NZU
メーカー onsemi
詳細な説明 POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
パッケージ SOT-223 (TO-261)
株式 175444 pcs
データシート Wafer Fab Change 27/Dec/2022onsemi REACHonsemi RoHSFDT4N50NZU
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000
$0.489 $0.439 $0.342 $0.283 $0.223 $0.208
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。175444のonsemi FDT4N50NZUの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-223 (TO-261)
シリーズ UltraFRFET™, Unifet™ II
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3Ohm @ 1A, 10V
電力消費（最大） 2W (Tc)
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 476 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 9.1 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 500 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2A (Tc)

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データシート

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