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FDP047N10

工場モデル FDP047N10
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
パッケージ TO-220-3
株式 45279 pcs
データシート TO220B03 Pkg DrawingFDP047N10Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHSMFG Site Addition 09/Mar/2020SOA curve 01/Jul/2013
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000
$1.67 $1.499 $1.228 $1.045 $0.882 $0.838
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。45279のonsemi FDP047N10の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 4.7mOhm @ 75A, 10V
電力消費(最大) 375W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 15265 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 210 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 120A (Tc)
基本製品番号 FDP047

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FDP047N10 データテーブルPDF

データシート