Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > FDP038AN06A0-F102
FDP038AN06A0-F102 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

FDP038AN06A0-F102

工場モデル FDP038AN06A0-F102
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
パッケージ TO-220-3
株式 6267 pcs
データシート Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi RoHSMult Dev Mold Chg 28/Oct/2019FDP038AN06A0, FDI038AN06A0
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6267のonsemi FDP038AN06A0-F102の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3.8mOhm @ 80A, 10V
電力消費（最大） 310W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 6400 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 124 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 80A (Tc)
基本製品番号 FDP038

おすすめ商品

FDP038AN06A0-F102 データテーブルPDF

データシート

FDP038AN06A0-F102に関連した語彙

FDP038AN06A0-F102関連コンポーネント