FDP045N10A-F102
工場モデル | FDP045N10A-F102 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 |
パッケージ | TO-220-3 |
株式 | 42772 pcs |
データシート | Mult Device Part Number Chg 30/May/2017Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHSMult Dev Mold Chg 28/Oct/2019FDP045N10A, FDI045N10A |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$1.595 | $1.433 | $1.174 | $1 | $0.843 | $0.801 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 |
シリーズ | PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.5mOhm @ 100A, 10V |
電力消費(最大) | 263W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5270 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 74 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 120A (Tc) |
基本製品番号 | FDP045 |
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