FDN86265P
| 工場モデル | FDN86265P |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3 |
| パッケージ | SOT-23-3 |
| 株式 | 235254 pcs |
| データシート | Mult Devices 24/Oct/2017onsemi RoHSMarking Lay-out Implementation 07/Oct/2022Marking Lay-out Implementation 15/Nov/2021FDN862yyy 14/Jun/2021FDN86265P |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.435 | $0.388 | $0.303 | $0.25 | $0.197 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±25V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 |
| シリーズ | PowerTrench® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.2Ohm @ 800mA, 10V |
| 電力消費（最大） | 1.5W (Ta) |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 210 pF @ 75 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4.1 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 800mA (Ta) |
| 基本製品番号 | FDN86265 |
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