FDN5630
| 工場モデル | FDN5630 |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 |
| パッケージ | SOT-23-3 |
| 株式 | 721129 pcs |
| データシート | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 24/Dec/2021onsemi RoHSMult Dev Retraction 14/Jan/2022Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022Marking Lay-out Implementation 15/Nov/2021SSOT3 Assembly/Test Chg 7/Jul/2020Orderable Part Number Update 23/Nov/2016FDN5630 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.171 | $0.139 | $0.094 | $0.071 | $0.053 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。721129のonsemi FDN5630の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 |
| シリーズ | PowerTrench® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 1.7A, 10V |
| 電力消費（最大） | 500mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 400 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.7A (Ta) |
| 基本製品番号 | FDN563 |
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FDN5630 データテーブルPDF
- Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
- Mult Devices 24/Oct/2017
- Mult Dev EOL 24/Dec/2021
- onsemi RoHS
- Mult Dev Retraction 14/Jan/2022
- Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022
- Marking Lay-out Implementation 15/Nov/2021
- SSOT3 Assembly/Test Chg 7/Jul/2020
- Orderable Part Number Update 23/Nov/2016
- FDN5630