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FDN352AP

工場モデル FDN352AP
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
パッケージ SOT-23-3
株式 524603 pcs
データシート Binary Year Code Marking 15/Jan/2014Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHSMarking Lay-out Implementation 07/Oct/2022Marking Lay-out Implementation 15/Nov/2021FDN352APFDN352AP Assembly Chgs 9/Dec/2020
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.169 $0.145 $0.108 $0.085 $0.066
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。524603のonsemi FDN352APの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 180mOhm @ 1.3A, 10V
電力消費（最大） 500mW (Ta)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 150 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 1.9 nC @ 4.5 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1.3A (Ta)
基本製品番号 FDN352

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データシート

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