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FDB024N06

工場モデル FDB024N06
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
パッケージ D²PAK (TO-263)
株式 25888 pcs
データシート Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014TO263 31/Aug/2016Logo 17/Aug/2017onsemi RoHSAssembly Change 09/May/2023SOA curve 01/Jul/2013FDB024N06
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100
$1.96 $1.762 $1.443
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。25888のonsemi FDB024N06の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 2.4mOhm @ 75A, 10V
電力消費(最大) 395W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 14885 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 226 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 120A (Tc)
基本製品番号 FDB024

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FDB024N06 データテーブルPDF

データシート