FDB016N04AL7
工場モデル | FDB016N04AL7 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 |
パッケージ | TO-263-7 |
株式 | 25829 pcs |
データシート | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Description Chg 01/Apr/2016TO263 31/Aug/2016Logo 17/Aug/2017Multiple Parts obs 30/Jun/2022onsemi RoHSFDB016N04AL7 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 |
---|
$1.732 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。25829のonsemi FDB016N04AL7の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
RFQメール:info@Components-House.net
規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263-7 |
シリーズ | PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.6mOhm @ 80A, 10V |
電力消費(最大) | 283W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 11600 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 167 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 160A (Tc) |
基本製品番号 | FDB016 |
おすすめ商品
-
FDB-25PF(05)
CONN D-SUB PLUG PNL MNTHirose Electric Co Ltd -
FDB024N04AL7
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7onsemi -
FDB0170N607L
MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB024N04AL7
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB-25P(51)
CONN D-SUB PLUG PNL MNTHirose Electric Co Ltd -
FDB024N08BL7
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7onsemi -
FDB0170N607L
MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7onsemi -
FDB-25P(05)
CONN D-SUB PLUG PNL MNTHirose Electric Co Ltd -
FDB-25S(05)
CONN D-SUB RCPT PNL MNTHirose Electric Co Ltd -
FDB0190N807L
MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7onsemi -
FDB-S
CONN PRESSURE BLOOK FOR SKTHirose Electric Co Ltd -
FDB0105N407L
MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7onsemi -
FDB0250N807L
MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7onsemi -
FDB0250N807L
MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7Fairchild Semiconductor -
FDB-GP
CONN GUIDE PLATEHirose Electric Co Ltd -
FDB024N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKonsemi -
FDB0165N807L
MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7onsemi -
FDB-P
CONN PRESSURE BLOOK FOR PLUGHirose Electric Co Ltd -
FDB016N04AL7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB024N06
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor