SQJQ184ER-T1_GE3
工場モデル | SQJQ184ER-T1_GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) |
パッケージ | PowerPAK® 8 x 8 |
株式 | 45758 pcs |
データシート | Mult Dev 26/Jan/2023SQJQ184ER |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$1.489 | $1.338 | $1.096 | $0.933 | $0.787 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 8 x 8 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.4mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 600W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerSMD, Gull Wing |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 16009 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 240 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 430A (Tc) |
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