SQJQ100EL-T1_GE3
| 工場モデル | SQJQ100EL-T1_GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8 |
| パッケージ | PowerPAK® 8 x 8 |
| 株式 | 53446 pcs |
| データシート | SQJQ100EL |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $1.183 | $1.063 | $0.871 | $0.741 | $0.625 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 8 x 8 |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.2mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大） | 150W (Tc) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 8 x 8 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14500 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 220 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200A (Tc) |
| 基本製品番号 | SQJQ100 |
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