SQJ962EP-T1-GE3
| 工場モデル | SQJ962EP-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO |
| パッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 株式 | 6790 pcs |
| データシート | SQJ962EP-T1-GE3SIL-053-2014-Rev-1 22/Sep/2014 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 60mOhm @ 4.3A, 10V |
| 電力 - 最大 | 25W |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 Dual |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 475pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14nC @ 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | SQJ962 |
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