SQJ940EP-T1_GE3
工場モデル | SQJ940EP-T1_GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8 |
パッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
株式 | 195368 pcs |
データシート | New Ordering Code 19/Mar/2015SIL-006-2015-Rev-1 03/Mar/2015SQJ940EP-T1-GE3 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
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$0.512 | $0.459 | $0.358 | $0.296 | $0.233 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 16mOhm @ 15A, 10V |
電力 - 最大 | 48W, 43W |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 Dual |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 896pF @ 20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 20nC @ 20V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 15A (Ta), 18A (Tc) |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | SQJ940 |
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