SISH536DN-T1-GE3
| 工場モデル | SISH536DN-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE |
| パッケージ | PowerPAK® 1212-8SH |
| 株式 | 459878 pcs |
| データシート | SISH536DN |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.24 | $0.205 | $0.153 | $0.12 | $0.093 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA |
| Vgs（最大） | +16V, -12V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8SH |
| シリーズ | TrenchFET® Gen V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.25mOhm @ 10A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8SH |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1150 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 24.7A (Ta), 67.4A (Tc) |
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