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Vishay Siliconix

SISH407DN-T1-GE3

工場モデル SISH407DN-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK
パッケージ PowerPAK® 1212-8SH
株式 281669 pcs
データシート SISH407DN Datasheet
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.31 $0.272 $0.208 $0.165 $0.132
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。281669のVishay Siliconix SISH407DN-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1V @ 250µA
Vgs（最大） ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8SH
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
電力消費（最大） 3.6W (Ta), 33W (Tc)
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8SH
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2760 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 93.8 nC @ 8 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 1.8V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 15.4A (Ta), 25A (Tc)
基本製品番号 SISH407

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データシート

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