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Vishay Siliconix

SIS612EDNT-T1-GE3

工場モデル SIS612EDNT-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 20V 50A PPAK1212-8S
パッケージ PowerPAK® 1212-8S
株式 4448 pcs
データシート Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018Mult Devs Assembly Location 31/Jan/2023SiS612EDNT Series
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4448のVishay Siliconix SIS612EDNT-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.2V @ 1mA
Vgs（最大） ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8S
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3.9mOhm @ 14A, 4.5V
電力消費（最大） 3.7W (Ta), 52W (Tc)
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8S
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2060 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 70 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 50A (Tc)
基本製品番号 SIS612

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データシート

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