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Vishay Siliconix

SIS606BDN-T1-GE3

工場モデル SIS606BDN-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
パッケージ PowerPAK® 1212-8
株式 136062 pcs
データシート New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 08/Dec/2022SIS606BDN
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.54 $0.483 $0.376 $0.311 $0.245
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。136062のVishay Siliconix SIS606BDN-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
シリーズ TrenchFET® Gen IV
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 17.4mOhm @ 10A, 10V
電力消費（最大） 3.7W (Ta), 52W (Tc)
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1470 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 30 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 7.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
基本製品番号 SIS606

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データシート

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