SIRA20BDP-T1-GE3
| 工場モデル | SIRA20BDP-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK |
| パッケージ | PowerPAK® SO-8 |
| 株式 | 118727 pcs |
| データシート | SiRA20BDP |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.629 | $0.561 | $0.437 | $0.361 | $0.285 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | +16V, -12V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 0.58mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大） | 6.3W (Ta), 104W (Tc) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9950 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 186 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 82A (Ta), 335A (Tc) |
| 基本製品番号 | SIRA20 |
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