SIRA14DP-T1-GE3
工場モデル | SIRA14DP-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8 |
パッケージ | PowerPAK® SO-8 |
株式 | 338396 pcs |
データシート | PowerPak SO-8 DrawingNew Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023SIRA14DP |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
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$0.254 | $0.224 | $0.172 | $0.136 | $0.109 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 250µA |
Vgs(最大) | +20V, -16V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5.1mOhm @ 10A, 10V |
電力消費(最大) | 3.6W (Ta), 31.2W (Tc) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1450 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 29 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 58A (Tc) |
基本製品番号 | SIRA14 |
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