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Vishay Siliconix

SIR812DP-T1-GE3

工場モデル SIR812DP-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
パッケージ PowerPAK® SO-8
株式 5730 pcs
データシート SiR812DPNew Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev EOL 5/May/2020Datasheet Update 22/Jun/2015
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5730のVishay Siliconix SIR812DP-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.3V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.45mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大） 6.25W (Ta), 104W (Tc)
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 10240 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 335 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 60A (Tc)
基本製品番号 SIR812

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