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Vishay Siliconix

SIR690DP-T1-RE3

工場モデル SIR690DP-T1-RE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
パッケージ PowerPAK® SO-8
株式 165705 pcs
データシート New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023N-Channel 200 V (D-S) MOSFET
提案された価格 (米ドルでの測定)
6000
$0.289
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。165705のVishay Siliconix SIR690DP-T1-RE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
シリーズ ThunderFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 35mOhm @ 20A, 10V
電力消費(最大) 104W (Tc)
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1935 pF @ 100 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 48 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 7.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 34.4A (Tc)
基本製品番号 SIR690

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SIR690DP-T1-RE3 データテーブルPDF

データシート