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Vishay Siliconix

SIJ150DP-T1-GE3

工場モデル SIJ150DP-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
パッケージ PowerPAK® SO-8
株式 176421 pcs
データシート Mult Dev 10/Mar/2023Mult Dev Wafer Chg 1/Jul/2021SiJ150DP (GE3)
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.476 $0.425 $0.331 $0.273 $0.216
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。176421のVishay Siliconix SIJ150DP-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.3V @ 250µA
Vgs（最大） +20V, -16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
シリーズ TrenchFET® Gen IV
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 2.83mOhm @ 15A, 10V
電力消費（最大） 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4000 pF @ 20 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 70 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 45 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 30.9A (Ta), 110A (Tc)
基本製品番号 SIJ150

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データシート

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