SIJ128LDP-T1-GE3
工場モデル | SIJ128LDP-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK |
パッケージ | PowerPAK® SO-8 |
株式 | 145617 pcs |
データシート | Mult Dev 10/Mar/2023SIJ128LDP |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.625 | $0.56 | $0.437 | $0.361 | $0.285 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 15.6mOhm @ 10A, 10V |
電力消費(最大) | 3.6W (Ta), 22.3W (Tc) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1250 pF @ 40 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 30 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10.2A (Ta), 25.5A (Tc) |
基本製品番号 | SIJ128 |
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