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SIHW33N60E-GE3

工場モデル SIHW33N60E-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
パッケージ TO-247AD
株式 33120 pcs
データシート SIHG33N60ESIL-070-2014-Rev-0 19/Jun/2014
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000
$2.586 $2.322 $1.903 $1.62 $1.366 $1.298
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。33120のVishay Siliconix SIHW33N60E-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-247AD
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 99mOhm @ 16.5A, 10V
電力消費(最大) 278W (Tc)
パッケージ/ケース TO-3P-3 Full Pack
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3508 pF @ 100 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 150 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 33A (Tc)
基本製品番号 SIHW33

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SIHW33N60E-GE3 データテーブルPDF

データシート