SIHU5N80AE-GE3
| 工場モデル | SIHU5N80AE-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 800V 4.4A TO251AA |
| パッケージ | TO-251AA |
| 株式 | 227920 pcs |
| データシート | SIHU5N80AE |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.489 | $0.437 | $0.34 | $0.281 | $0.222 | $0.207 | $0.197 | $0.189 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-251AA |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.35Ohm @ 1.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 62.5W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 321 pF @ 100 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.4A (Tc) |
| 基本製品番号 | SIHU5 |
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