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Vishay Siliconix

SIA448DJ-T1-GE3

工場モデル SIA448DJ-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6
パッケージ PowerPAK® SC-70-6
株式 4395 pcs
データシート Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018SiA448DJ
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4395のVishay Siliconix SIA448DJ-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 1V @ 250µA
Vgs(最大) ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 15mOhm @ 12.4A, 4.5V
電力消費(最大) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1380 pF @ 1 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 35 nC @ 8 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 1.5V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 12A (Tc)
基本製品番号 SIA448

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SIA448DJ-T1-GE3 データテーブルPDF

データシート