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Vishay Siliconix

SIA430DJT-T4-GE3

工場モデル SIA430DJT-T4-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAK
パッケージ PowerPAK® SC-70-6
株式 663882 pcs
データシート SIA430DJT
提案された価格 （米ドルでの測定）
6000
$0.072
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。663882のVishay Siliconix SIA430DJT-T4-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 13.5mOhm @ 7A, 10V
電力消費（最大） 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 800 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 18 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 12A (Ta), 12A (Tc)
基本製品番号 SIA430

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