SI8819EDB-T2-E1
| 工場モデル | SI8819EDB-T2-E1 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT |
| パッケージ | 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) |
| 株式 | 879973 pcs |
| データシート | Material ComplianceSI8819EDB |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.169 | $0.138 | $0.094 | $0.07 | $0.053 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。879973のVishay Siliconix SI8819EDB-T2-E1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 900mV @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 80mOhm @ 1.5A, 3.7V |
| 電力消費（最大） | 900mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | 4-XFBGA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 650 pF @ 6 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 8 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 3.7V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.9A (Ta) |
| 基本製品番号 | SI8819 |
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