SI8812DB-T2-E1
| 工場モデル | SI8812DB-T2-E1 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT |
| パッケージ | 4-Microfoot |
| 株式 | 673982 pcs |
| データシート | Material ComplianceSi8812DB |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.155 | $0.134 | $0.1 | $0.079 | $0.061 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。673982のVishay Siliconix SI8812DB-T2-E1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±5V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-Microfoot |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 59mOhm @ 1A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 500mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | 4-UFBGA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 8 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.2V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.3A (Ta) |
| 基本製品番号 | SI8812 |
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