SI7615BDN-T1-GE3
工場モデル | SI7615BDN-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V 29A/104A PPAK |
パッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
株式 | 5225 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.8mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 5.2W (Ta), 66W (Tc) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4890 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 155 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 29A (Ta), 104A (Tc) |
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